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電工材料及應用(續一);超導體:大於106(?cm)-1

導體:106~104(?cm)-1

半導體:104~10-10(?cm)-1

絕緣體:小於10-10(?cm)-1;1.半導體的結構;半導體的結合和晶體結構;2.半導體中的載流子：能夠導電的自由粒子;電子：Electron，帶負電的導電載流子，是價電子脫離原子束縛後形成的自由電子，對應於導帶中佔據的電子

空穴：Hole，帶正電的導電載流子，是價電子脫離原子束縛後形成的電子空位，對應於價帶中的電子空位;3.半導體的能帶(價帶、導帶和帶隙);共價鍵固體中價電子的量子態和能級

共價鍵固體：成鍵態、反鍵態;價帶：0K條件下被電子填充的能量最高的能帶

導帶：0K條件下未被電子填充的能量最低的能帶

禁帶：導帶底與價帶頂之間能帶

帶隙：導帶底與價帶頂之間的能量差;金屬、絕緣體、半導體的能帶特徵;半導體中載流子的行為可以等效為自由粒子，但與真空中的自由粒子不同，考慮了晶格作用後的等效粒子

有效品質可正、可負，取決於與晶格的作用;4.半導體的摻雜;施主和受主濃度：ND、NA;施主能級;本征載流子濃度：n=p=ninp=ni2

ni與禁帶寬度和溫度有關;6.非本征半導體的載流子;多子：多數載流子

n型半導體：電子

p型半導體：空穴

少子：少數載流子

n型半導體：空穴

p型半導體：電子;7.電中性條件:正負電荷之和為0;n型半導體：電子n?Nd

空穴p?ni2/Nd

p型半導體：空穴p?Na

電子n?ni2/Na;8.過剩載流子;9.載流子的輸運;影響遷移率的因素：

有效品質

平均弛豫時間（散射〕;擴散電流;過剩載流子的擴散和複合;p-n結平衡能帶結構;重點;鍺、矽半導體;鍺、矽半導體;鍺、矽半導體;鍺、矽半導體;GaAs半導體的能帶結構;半導體材料

(1)以矽為基礎的微電子技術仍將占十分重要位置。晶片特徵尺寸以每三年縮小計,到2010年可能到極限(0.07μm)（量子效應、磁場及熱效應、製作困難、投資大）。

但不同檔次的矽晶片在21世紀仍大量

存在，並將有所發展。

;*在絕緣襯底上的矽（SOI，SiOnInsulator):功能低、低漏電、集成度高、高速度、工藝簡單等。SOI器件用於可??式通信系統，既耐高溫又抗輻照。

*集成系統（IS，IntegratedSystem)：在單個晶片上完成整系統的功能，集處理器、記憶體直到器件設計於一個晶片(SystemonaChip)。

*積體電路的總發展趨勢：高集成度、微型化、高速度、低功耗、高靈敏度、低雜訊、高可靠、長壽命、多功能。為了達到上述目標，有賴於外延技術（VPE，LPE，MOCVD及MBE）的發展，同時對矽單晶的要求也愈來愈高。表1為積體電路的發展對材料品質的要求。

;積體電路發展對材料品質的要求;(2)第二代半導體材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物;（3）第三代半導體材料是禁帶更寬的SiC、GaN及金剛石。

（4）下一代積體電路的探索

光集成

原子操縱;電工材料及應用(續二);功能材料;2.材料形態的多樣性

同一成分的材料形態不同時，常會呈現不同的功能。如Al2O3陶瓷材料，拉成單晶時為人造寶石；燒結成多晶時常用作積體電路基板材料、透光陶瓷等；多孔質化時是催化劑的良好載體與過濾材料；纖維化時為良好的絕熱保溫材料。;（三）功能材料的分類;材料的鐵電性;2、晶體結構是非中心對稱的.;3、晶胞具有大小相等的自發非零電偶極矩。;當溫度降低到120度時，TiO6八面體基團發生畸變，基團中的Ti沿4次軸相對O原子移動12pm，Ba也在同方向移動6pm，O原子也偏離了正八面體。此時晶體轉變為四方晶系，沒有對稱中心，每個晶包就具有自發非零電偶極矩，晶體也就變成了鐵電體。;4、晶體中存在電疇形式的微結構;二、鐵電晶體的分類

迄今為止，已發現的具有鐵電性的材料，就有一千多種，它們可以按不同方法進行分類。;2．按極化軸多少分類;4、按相轉變的微觀機構分類;5．按極化反轉時原子位移的維數分類（“維度模型”分類）;第三類鐵電體：C值大約在10K數量級。它們是非本征鐵電體，其鐵電性起因於壓電性與彈性不穩定性的藕合，如Gd3(MoO4)2等。;有一物類體在轉變溫度以下，鄰近的晶胞彼此沿反平行方向自發極化。這類晶體叫反鐵電體。;

1、傳統電記憶體的問題