β-Si3N4（0001）表面本征点缺陷及其异质结的模拟研究.docxVIP

β-Si3N4（0001）表面本征点缺陷及其异质结的模拟研究

首先，我们对β-Si3N4（0001）表面进行了几何优化，得到了稳定的晶体结构。然后，我们通过模拟方法引入了不同类型的本征点缺陷，包括硅和氮原子的空位和间隙缺陷。通过计算，我们得到了这些缺陷的形成能和构型。

接下来，我们研究了这些本征点缺陷对材料性能的影响。首先，我们研究了缺陷引起的电子能带结构的改变。我们发现，硅原子的空位缺陷导致能带发生平移，而氮原子的空位缺陷则导致能带发生畸变。这些改变影响了材料的导电性和光学性质。

然后，我们研究了缺陷对材料的力学性能的影响。通过模拟拉伸过程，我们发现硅原子的空位缺陷