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- 2023-12-27 发布于四川
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提供一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底,包括存储单元区和连接区;存储单元区中的多个栅电极,在竖直方向上彼此间隔布置,栅电极包括地选择线和多条字线;一对栅极堆叠分离绝缘层,穿过栅电极,并在在存储单元区和连接区中沿第一水平方向延伸;以及焊盘结构,包括连接区中的多个焊盘层,焊盘结构连接到栅电极中的相应的栅电极,多个焊盘层在第一水平方向上以及在第二水平方向上以阶梯形状布置,地选择线包括多个地选择线切割区,每个地选择线切割区在第二水平方向上与焊盘层的边缘间隔开。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117295337A
(43)申请公布日2023.12.26
(21)申请号202310729156.2
(22)申请日2023.06.19
(30)优先权数据
10-2022-0077813
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