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钛层或含钛层的蚀刻液组合物及蚀刻方法.pdfVIP

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  • 2023-12-28 发布于四川
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钛层或含钛层的蚀刻液组合物及蚀刻方法.pdf

    本发明提供用于选择性蚀刻处理形成在氧化物半导体层的钛层或含钛层的钛或钛合金蚀刻液组合物以及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。本发明的蚀刻液组合物如下：用于蚀刻氧化物半导体上的钛层或含钛层，包含含有铵离子的化合物、过氧化氢及碱性化合物，pH为7～11。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110462799A

    (43)申请公布日

    2019.11.15

    (21)申请号20188

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