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半导体晶片的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-12-28 发布于四川
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半导体晶片的制造方法.pdf

    本发明提供半导体晶片的制造方法，其包括多阶段研磨工序，所述工序包括使用包含磨粒的研磨剂进行的3阶段以上的研磨工序；上述多阶段研磨工序中，该多阶段研磨工序的最终研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、最终研磨工序的1个阶段前进行的1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度、与最终研磨工序的2个阶段前进行的2个阶段前研磨工序中使用的研磨剂的磨粒浓度满足下述关系式1；且1个阶段前研磨工序中使用的研磨剂中包含的磨粒的通过动态光散射法求出的平均粒径为65nm以上，且聚集度大于1.50。(关系式1)2个阶段前研磨

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111316399A

    (43)申请公布日

    2020.06.19

    (21)申请号20178

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