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光学神经网络的半导体器件及设备.pdfVIP

光学神经网络的半导体器件及设备.pdf

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    本实用新型提供一种光学神经网络的半导体器件及设备。半导体器件包括具有彼此相对的第一侧与第二侧的氧化物层。所述半导体器件包括多个第一波导，所述多个第一波导在氧化物层的第一侧上分别跨越多个第一绝缘体层设置。所述半导体器件包括多个第二波导，所述多个第二波导在氧化物层的第二侧上分别跨越多个第二绝缘体层设置。所述多个第一波导与所述多个第二波导共同形成人工神经网络的多个光子神经网络层。本实用新型可以达成光学信号与电信号之间的高速转换。

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220252206U

    (45)授权公告日2023.12.26

    (21)申请号202321242219.3

    (22)申请日2023.05.22

    (30)优先权数据

    17/844,1922022

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