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一种超晶格材料生长界面控制方法、加工设备及探测器.pdfVIP

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  • 2023-12-28 发布于四川
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一种超晶格材料生长界面控制方法、加工设备及探测器.pdf

    本超晶格材料生长界面控制方法、加工设备及探测器无需进行额外附加操作即可实现应力平衡，由此简化过程、使材料生长更利于控制且更适合于量产，同时，此种制备方法能够拓宽InAsSbx、AlAsySb以及GaSb的生长温度窗口，使材料能够在更高的温度下生长，进而更容易得到高质量超晶格材料。同时，本发明引入单原子GaSb层或AlAsySb层作为界面过渡层，能够迅速将富As表面切换成富Sb表面，从而避免超晶格中形成InSb界面而使材料质量迅速变差的问题，并且有效降低了GaSb或AlAsySb生长时的As背景，

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117293229A

    (43)申请公布日2023.12.26

    (21)申请号202311572467.9

    (22)申请日2023.11.23

    (71)申请人苏州焜原光电有限公司

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