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一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用.pdfVIP

一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用.pdf

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    本发明涉及一种基于镓缓冲层的氧化镓薄膜及其制备方法与应用，制备方法采用电子束蒸发法，在衬底上制备镓金属层，于空气氛围下对其进行氧化退火得到镓缓冲层，最后采用磁控溅射法在镓缓冲层表面制备得到高性能的氧化镓薄膜。与现有技术相比，本发明具有操作简单、成本较低、效果显著等优点，本发明得到的氧化镓薄膜，能够更好地应用在紫外探测、发光器件、太阳能电池等领域。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117286461A

    (43)申请公布日2023.12.26

    (21)申请号202311263336.2C23C14/08(2006.01)

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