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半导体试片的蚀刻装置.pdfVIP

半导体试片的蚀刻装置.pdf

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    半导体试片的蚀刻装置，包括真空腔，其上方设有蚀刻气体瓶和氮氧瓶，所述蚀刻气体瓶和氮氧瓶均通过连接管与真空腔连通连接，所述连接管内设有阀门；所述蚀刻气体瓶内充满有蚀刻气体，具体为。该半导体试片的蚀刻装置有效提升了原本用于故障分析研磨的精准度与质量，将研磨精准度控制在纳米甚至次纳米的范围，对于将来更需要精准控制研磨质量的先进制程试片的材料分析提供一个较佳的解决方案。

    (19)国家知识产权局

    (12)实用新型专利

    (10)授权公告号CN220251479U

    (45)授权公告日2023.12.26

    (21)申请号202320961514.8

    (22)申请日2023.04.25

    (73)专利权人南京泛铨电子科技有限公司

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