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本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，涉及半导体技术领域，半导体结构的制作方法包括，提供衬底；形成界面层；形成高K介质层；进行第一工艺处理，以使高K介质层的顶面表层具有第一元素；于高K介质层上方形成功函数调节层，功函数调节层的材料包括调节元素；进行第二工艺处理，驱使功函数调节层中的调节元素向界面层的方向扩散，并积聚在高K介质层和界面层的接触界面，以形成偶极层，同时驱使第一元素由高K介质层的顶面表层扩散至高K介质层的内部。在本公开中，通过第二工艺激活第一元素，同时形成偶极层，能够避免第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117316863A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202210688570.9
(22)申请日2022.06.17
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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