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一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法.pdf

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    本发明提供一种沟槽MOS晶体管器件及其制备方法，沟槽MOS晶体管器件包括碳化硅衬底，所述碳化硅衬底中形成有栅极沟槽，所述栅极沟槽的侧壁和底壁上形成有栅氧层，所述栅氧层包括第一栅氧层和第二栅氧层，所述第一栅氧层覆盖所述栅极沟槽的侧壁和底壁，所述第二栅氧层覆盖所述第一栅氧层，其中，所述第二栅氧层为PETEOS层或PEOX层，且所述栅氧层的侧壁厚度小于底壁厚度。本发明通过栅氧层的侧壁厚度小于底壁厚度，相较于现有技术，增厚了栅极沟槽拐角处的栅氧层厚度，从而降低了栅氧层在拐角处的电场峰值，提高了沟槽MOS

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117316990A

    (43)申请公布日2023.12.29

    (21)申请号202311351189.4

    (22)申请日2023.10.18

    (71)申请人绍兴中芯集成电路

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