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本发明属于溅射靶材技术领域，具体涉及一种平面铜靶材的制备方法及应用其的磁控溅射方法，步骤S1：制备高纯无氧铜杆；步骤S2：连续挤压所述无氧铜杆以形成坯料，并在挤压过程中对所述坯料进行防氧化保护；步骤S3：待所述坯料冷却至室温后进行单道次低变形量拉拔操作，控制拉拔变形量为1.5％‑3％，控制拉拔变形温度在300℃‑500℃；步骤S4：重复上述步骤S2和步骤S3至少两次；步骤S5：对坯料进行矫直操作；步骤S6：对坯料进行机加工操作，制成铜靶材；通过所述制备方法得到的平面铜靶材晶粒尺寸小于40μm，晶
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117305789A
(43)申请公布日2023.12.29
(21)申请号202311285912.3C22F1/08(2006.01)
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