一种生长低翘曲半导体衬底晶片的方法.pdfVIP

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2024-01-03 发布于四川
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本发明公开了一种生长低翘曲半导体衬底晶片的方法，包括如下步骤：S1)沉积介质层：在衬底晶片的背面和正面沉积第一介质层和第二介质层，第一介质层和第二介质层满足α1×T1＝α2×T2；S2)高温退火；S3)去除第二介质层并磨抛清洗；S4)衬底晶片进行外延生长：将步骤S3)背面沉积有第一介质层的衬底晶片进行外延生长；S5)去除第一介质层并磨抛清洗。本发明预先在衬底晶片的正面和背面均沉积一层刚度大于衬底晶片的介质层，两层介质层的协同热膨胀能够对外延片进行形变约束，使得衬底晶片在高温退火时翘曲度降低，经过

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115110147A

(43)申请公布日2022.09.27

(21)申请号202210729423.1

(22)申请日2022.06.24

(71)申请人东莞市天域半导体科技有限公司

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