原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
指明一种高电压薄膜晶体管，包含在一栅极电极层(31)中的一栅极电极(G11，G21)，在与该栅极电极层平行的一沟道层(34)中的一半导体沟道(C11，C12)，该半导体沟道藉由一栅极介电层(32)而与该栅极电极电气绝缘。该晶体管还包含一主导主电极及一从属主电极(M11，M12)。主电极各具有在一主电极层(36)中的一外部部分(M11e，M12e)及一内部部分(M11e，M12e)，该内部部分突出通过在该主电极层与该沟道层之间的一另一介电层(35)，以分别在一主导主电极接触区域(M11c)及一从属
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111133583A
(43)申请公布日
2020.05.08
(21)申请号20188
文档评论（0）