- 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请实施例公开了一种半导体激光器良率生成方法、系统、电子设备及存储介质。该方法包括:获取来料的半导体激光器的良品数量、芯片类型以及所述半导体激光器当前的第一测试数量;若所述第一测试数量小于所述良品数量,确定所述来料的半导体激光器是否存在在制品;若所述来料的半导体激光器中不存在在制品,根据所述芯片类型获取所述第一测试数量的半导体激光器的第一测试信息,并根据所述第一测试信息生成所述来料的半导体激光器的测试良率,进而可以快速的获取来料的半导体激光器COS封装的良率测试,同时也可以避免人工操作记录失误
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117335260A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311253679.0G01M11/00(2006.01)
文档评论(0)