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半导体测试结构.pdfVIP

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  • 2024-01-03 发布于四川
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半导体测试结构.pdf

    本申请提供一种半导体测试结构。该半导体测试结构包括一基底，一第一金属层，一介电结构，以及一第二金属层。该第一金属层设置于该基底上，并包括沿一第一方向延伸的多个指状物。该介电结构设置于该第一金属层上。该第二金属层设置于该介电结构上，并与该第一金属层电隔离。该第二金属层沿不同于该第一方向的一第二方向延伸。该介电结构定义一侧壁，该侧壁于该第一金属层和该第二金属层之间延伸。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117334673A

    (43)申请公布日2024.01.02

    (21)申请号202310725042.0

    (22)申请日2023.06.19

    (30)优先权数据

    17/853,9732022

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