原创力文档- 7
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- 2024-01-03 发布于四川
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在一个或更多个示例中，薄膜晶体管包括：半导体层；与半导体层交叠的上栅电极；上绝缘层，其设置在半导体层与上栅电极之间；与半导体层交叠的第一下栅电极；第二下栅电极，其设置在半导体层与第一下栅电极之间，与半导体层交叠，并且被配置成具有比上栅电极的宽度小的宽度；第一下绝缘层，其设置在第一下栅电极与第二下栅电极之间；以及第二下绝缘层，其设置在第二下栅电极与半导体层之间。还公开了包括薄膜晶体管的显示装置。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117334730A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202310733696.8H10K59/12(2023.01)
(22)申请日2023.06.
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