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本公开涉及一种半导体激光器及其制备方法。所述半导体激光器包括：光波导、光栅层、模场调节层、第一接触层以及第二接触层。光波导包括层叠设置的第一型限制层、有源增益层和第二型限制层。光栅层设置于第二型限制层向上背离有源增益层的一侧，用于实现光分布反馈，以及调节外部反射光。模场调节层设置于第一型限制层向下背离有源增益层的一侧，用于调节半导体激光器的模场向下远离光栅层。第一接触层设置于光栅层向上背离第二型限制层的一侧。第二接触层设置于模场调节层向下背离第一型限制层的一侧。本公开实施例的半导体激光器可以有效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117335266A
(43)申请公布日2024.01.02
(21)申请号202311338163.6
(22)申请日2023.10.16
(71)申请人苏州旭创科技有限公司
地址21
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