屹晶微 EG21814 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片.pdfVIP

屹晶微电子有限公司EG21814MOS驱动芯片数据手册V1.0

大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

EG21814芯片数据手册V1.0

1.特性

高端悬浮自举电源设计，耐压可达600V

适应5V、3.3V输入电压

最高频率支持500KHZ

低端VCC电压范围10V-20V

输出电流能力IO+/-2.5A/3A

HIN输入通道高电平有效，控制高端HO输出

LIN输入通道高电平有效，控制低端LO输出

输入信号不相互闭锁

外围器件少

封装形式：SOP14

无铅无卤符合ROHS标准

2.描述

EG21814是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处

理电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。

EG21814高端的工作电压可达600V，低端Vcc的电源电压范围宽10V～20V，静态电流约200uA。

输入通道HIN和LIN内建了一个200K下拉电阻,在输入悬空时使上、下功率MOS管处于关闭状态,输出电

流能力IO+/-2.5/3A，采用SOP14封装。

3.应用领域

移动电源高压快充开关电源

电动车控制器

变频水泵控制器

600V降压型开关电源

无刷电机驱动器

高压Class-D类功放

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大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

4.引脚

4.1引脚定义

HIN114NC

LIN213VB

VSS312HO

NC4EG2181411VS

COM510NC

LO69NC

VCC78NC

图4-1.EG21814管脚定义

4.2引脚描述

引脚序号引脚名称I/O描述

逻辑控制信号高电平有效，控制高端功率MOS管的导通与

截止

1HINI

“0”是关闭功率MOS管

“1”是开启功率MOS管

逻辑控制信号高电平有效，控制低端功率MOS管的导通与

截止

2LINI

“0”是关闭功率MOS管

“1”是开启功率MOS管

3VSSVSS芯片的地端。