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ICS29.045（ICS国际标准分类号）
H80/84（中国标准文献分类）
团体标准
T/IAWBS×××-×××
代替T/IAWBS（替代号）
SiCMOSFET阈值电压测试
方法
SiCMOSFETthresholdvoltagetestmethod
草案
（本稿完成日期：）
××××-××-××发布××××-××-××实施
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布
T/IAWBSXXX—XXXX
SiCMOSFET阈值电压测试方法
1范围
本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiCMOSFET)阈值电压测试方法。
本文件的测试方法适用于平面结构的SiCMOSFET阈值电压的测量，包含测试原理，测试电路以及测
试条件。
2规范性参考文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文
件。
JEP183SiCMOSFET的阈值电压(V)测量指南
T
3术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
漏源电压drain-sourcevoltage
V被测器件漏极和源极之间的电压。
ds
3.2
栅源电压gate-sourcevoltage
V被测器件栅极和源极之间的电压。
gs
3.3
阈值电压gate-sourcevoltage
V通常将传输特性曲线中输出电流随输入电压改变而急剧变化转折区的中点对应的输入电压。
T
3.4
漏源电流drain-sourcecurrent
I被测器件漏极和源极之间的电流。
ds
3.5
阈值电压测量时间VmeasurementtimeT
t_测量阈值电压的时间。
VT
1
T/IAWBSXXX—XXXX
4仪器设备
半导体参数测试仪包括但不限于Keysight公司生产的B1505。
5测试原理
当栅极电压达到某值时，该期间的源极和漏极的电流达到某特定值，即认为该mos管打开，此时的栅
极电压即为阈值电压。测试方法如图1所示。阈值电压计算公式如公式（1）所示：
4ln ()
2
=+ln−……(1)
式中：
V——阈值电压；C——单位面积栅氧化层电容；ε——衬底相对介电常数；T——热力学温度；
TH
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