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本申请公开了一种晶圆的加工方法，包括如下步骤：提供形成有器件层的晶圆；在器件层表面形成接触层，器件层上形成有正切割槽口；在接触层表面形成第一光刻胶层；在第一光刻胶层及接触层表面沉积形成加厚金属层；去除第一光刻胶层上的加厚金属层以及第一光刻胶层，使未去除的加厚金属层上形成第一道切割槽口；在器件层、正切割槽口、接触层以及加厚金属层表面旋涂光刻正胶形成第二光刻胶层；将晶圆进行光刻显影；去除与第一道切割槽口处相对应的接触层以形成第二道切割槽口。本方法提高了晶圆背金的开槽精度，切割槽口槽边处无金属熔渣，增
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352386A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311330157.6
(22)申请日2023.10.13
(71)申请人浙江芯科半导体有限公司
地址3
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