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2024-01-06 发布于四川
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一种背照式图像传感器制备方法.pdf

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本发明公开了一种背照式图像传感器制备方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有正表面和背表面；在所述半导体衬底正表面通过离子注入形成感光单元和形成浅槽隔离；在半导体衬底的正表面上形成第一介质层，位于所述第一介质层中的晶体管电路以及金属互连层；采用物理研磨工艺对所述半导体衬底的背表面的厚度进行减薄，然后在背表面上方形成氧化层；移除氧化层上方的半导体衬底部分，以及移除氧化层；在半导体衬底的背表面形成深槽隔离，以及在半导体衬底的背表面上形成抗反射复合层；在抗反射复合层上形成第二介质层，该第二介质层

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117352522A

(43)申请公布日2024.01.05

(21)申请号202211732660.X

(22)申请日2022.12.30

(71)申请人上海微阱电子科技有限公司

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