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本发明属于微波技术领域，公开了一种三维立体集成的GCPW‑SIW的垂直过渡结构。传统的GCPW‑SIW过渡结构为单层平面的过渡结构，无法实现更高集成度的三维立体集成结构。本发明通过将GCPW、层间垂直过渡结构、SIW整体集成设计，实现了底层GCPW至顶层SIW的低损耗的垂直过渡转换。本发明结构简单、加工精度要求低、工作带宽较宽、插入损耗低。本发明适用于有源器件的三维立体集成应用，能够实现更高的系统集成度和更小的系统整体尺寸。同时，该过渡结构具有低过渡损耗、实现结构简单和较宽工作带宽的特点，能够广
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352979A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311471533.3
(22)申请日2023.11.07
(71)申请人电子科技大学长三角研究院（湖州）
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