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半导体存储装置(1)具有：多个第一电极层(SGS，WL1)，沿第一方向(Z)层叠；多个第二电极层(WL2，SGD)，沿所述第一方向层叠；第一柱状体(PB1)，沿所述第一方向贯通所述多个第一电极层；第二柱状体(PB2)，沿所述第一方向贯通所述多个第二电极层；连接部(JP)，连接所述第一柱状体和所述第二柱状体；以及岛状的垫片膜(20)，包围所述连接部。所述多个第一电极层和所述多个第二电极层沿所述第一方向排列配置，所述连接部及所述垫片膜位于所述多个第一电极层和所述多个第二电极层之间。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN111989776A
(43)申请公布日2020.11.24
(21)申请号201980017141.5(74)专利代理机构永新专利商标代理有限公司
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