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- 2024-01-06 发布于四川
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本发明公开一种磁阻式随机存取存储器，其为半导体元件，主要包含：一基底具有一磁性隧道结(magnetictunnelingjunction,MTJ)区域以及一逻辑区域；一金属间介电层设于该基底上；一第一金属内连线设于该金属间介电层内并位于该MTJ区域上；以及多个突块设于该第一金属内连线两侧。其中第一金属内连线又包含一通孔导体以及一沟槽导体，且该等突块又包含一第一突块设于该通孔导体一侧以及一第二突块设于该通孔导体另一侧。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN112018146A
(43)申请公布日
2020.12.01
(21)申请号20191
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