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本发明涉及一种甲脒锡碘钙钛矿单晶薄膜及其制备方法。所述甲脒锡碘钙钛矿单晶薄膜是通过先制备晶种层再添加饱和前驱液的分步生长方式制备的，具体的，以γ‑丁内酯为溶剂配制甲脒锡碘钙钛矿过饱和前驱液，取下层晶体悬浮液在衬底上旋涂制备晶种层，而后取饱和上清液做为晶种生长液，在一定的压强和升温速率下控制晶种生长，得到致密连续、缺陷密度低、晶粒尺寸大、具有较好红光响应的甲脒锡碘钙钛矿单晶薄膜。本发明公开的制备方法具有适用于锡基钙钛矿体系、重复性好、成膜质量高、基底兼容性好的特点。本发明还公开了基于所述甲脒锡碘钙
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117344370A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311188345.XH10K71/12(2023.01)
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