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本发明具体涉及一种发光二极管及制备方法,包括衬底以及衬底下部的各层,不透光矩阵下端两侧具有延伸部,每两个相邻的不透光矩阵的底部对应一个子像素块,不透光矩阵以及延伸部均用于遮挡子像素块的光线避免对其他相邻的子像素块光造成影响,每两个相邻的不透光矩阵的之间预留光通道,每两个相邻的不透光矩阵的上肩部形成一个光膜,光通道以及光膜均用于透过子像素块的光线。本申请能够有效降低子像素块的光线串扰且不需要光束发射角度调整层,降低了计算难度和工艺难度,并且还能够尽可能减少不透光矩阵的宽度,这样能够提高二极管切割效
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352533A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311659143.9
(22)申请日2023.12.06
(71)申请人深圳市正东明光电子有限公司
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