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- 2024-01-06 发布于四川
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提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面,一种形成自对准触点的方法包括以下步骤:在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物;将栅极侧壁间隔物埋入电介质中;通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽;在栅极沟槽中形成栅极;通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽;在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN110892523A
(43)申请公布日
2020.03.17
(21)申请号20188
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