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硅控整流器及其制造方法.pdfVIP

硅控整流器及其制造方法.pdf

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    本发明提供硅控整流器及制造方法包括半导体衬底；生成于半导体衬底中依次相邻布置第一N阱、P阱、第二N阱；第一高浓度P型掺杂、第一高浓度N型掺杂位于第一N阱上部；第二高浓度N型掺杂、第二高浓度P型掺杂位于第二N阱上部；第三高浓度P型掺杂位于P阱上部；第一高浓度P型掺杂和第一高浓度N型掺杂连接构成第一器件极；第二高浓度N型掺杂和第二高浓度P型掺杂连接构成第二器件极。据此设计和制造硅控整流器，由于器件结构特征对称分布，在第一器件极(或第二器件极)连接正高压的高压输入输出端或负高压的高压输入输出端，均能形

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110867487A

    (43)申请公布日

    2020.03.06

    (21)申请号20191

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