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一种解决硅片退火舟印的方法.pdfVIP

一种解决硅片退火舟印的方法.pdf

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    本发明公开一种解决硅片退火舟印的方法，步骤为：一、启动退火炉，通入保护性气体，升温至680~720℃；二、通过摇片器将清洗后的洁净硅片的参考面摇至正上方，使用自动推片装置将硅片从片盒中倒入石英舟，将石英舟放入退火炉中恒温区680~720℃保温，硅片出炉后自然冷却，完成硅片的一次退火，再通过自动推片装置将硅片从石英舟倒回片盒中；三、将硅片使用硅片清洗机清洗并甩干；四、将硅片使用摇片器将硅片相对一次退火时旋转20~40°后，使用自动推片装置将旋转后的硅片转移至石英舟的卡槽，将石英舟放入退火炉中恒温区

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117352387A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202311601146.7

    (22)申请日2023.11.28

    (71)申请人麦斯克电子材料股份有限公司

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