原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种锗酸钇铯二阶非线性光学晶体的制备方法和用途，其化学式为Cs3YGe3O9。将含铯化合物、含钇化合物、含锗化合物混合采用固相反应法制得所述化合物锗酸钇铯的多晶粉末纯相；将化合物锗酸钇铯单相多晶粉末与助熔剂的混合物，或直接将含铯化合物、含钇化合物和含锗化合物的混合物或含铯化合物、含钇化合物和含锗化合物与助熔剂的混合物升温化料获得均一的混合溶液，通过自发结晶方式获得Cs3YGe3O9籽晶，然后将Pt坩埚中的混合溶液放入晶体生长炉，将籽晶固定于籽晶杆上，采用高温溶液法生长晶体。Cs3YGe
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117344383A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311300888.6
(22)申请日2023.10.10
(71)申请人天津理工大学
地址300384
文档评论（0）