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半导体器件和半导体器件的控制方法以及制备方法.pdfVIP

半导体器件和半导体器件的控制方法以及制备方法.pdf

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    本发明公开了一种半导体器件和半导体器件的控制方法以及制备方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底的正面设置有正面电路结构；在所述半导体衬底的背面设置有N型场截止层、P型集电区、背面电极结构、隔离层和背面集电极层；其中，所述背面电极结构包括依次层叠设置的介质层和背面电极层，所述介质层靠近所述P型集电区设置。采用该半导体器件，可以有效减少空穴载流子抽取与复合的时间，达到快速关断半导体器件的目的，降低半导体器件的关断损耗。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117352540A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202210751082.8

    (22)申请日2022.06.29

    (71)申请人比亚迪半导体股份有限公司

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