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本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种多结发光二极管，其至少包括第一外延结构、第二外延结构和隧道结，隧道结位于第一外延结构与第二外延结构之间，隧道结包括重掺杂P型AlX1Ga1‑X1As层和重掺杂N型层，重掺杂P型AlX1Ga1‑X1As层连接重掺杂N型层，重掺杂N型层为重掺杂N型AlX2Ga1‑X2As层或重掺杂N型GaX3In1‑X3P层，其中，X1的范围为0～0.6，X2的范围为0～0.6，X3的范围为0.3～0.7。借此，大大降低载子溢流与非辐射复合的发生，进而减少热能的产生，可以在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352614A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202210785102.3
(22)申请日2022.06.29
(71)申请人厦门三安光电有限公司
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