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本发明公开了一种纳米锥阵列结构长波截止完美吸收器，各纳米锥单元包括生长在SiO2衬底上的InP锥体，InP锥体内部嵌套三层堆叠结构，由下往上依次为Si3N4矩体、Cr矩体和Au锥体。对结构参数进行优化后，波长从紫外到近红外，在吸收带200‑820nm中实现了0.979的平均吸收，并且吸收从820nm波长处的0.95急剧下降到1880nm波长处的0.1，在非吸收带1880‑4000nm波段内的平均吸收仅为0.035，其中消光比为9.78dB，消光差为0.85，截止斜率为0.234nm‑1。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117348137A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311338453.0
(22)申请日2023.10.17
(71)申请人扬州大学
地址2
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