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本发明涉及单晶生长技术领域，公开了单晶用的导气装置、单晶炉及单晶炉降氧控制方法，本发明单晶用的导气装置包括第一导气结构和第二导气结构。第一导气结构具有第一导气通道；第二导气结构具有第二导气通道，第二导气通道的出口和第一导气通道的进口连通，第二导气通道的进气口和第二导气通道的出口之间具有夹角。本发明中，第二导气结构能够使SiO气体能够沿着埚托外壁流动，延长SiO气体沿埚托外壁的流动路径，对埚托的冷却效果增强，削弱了加热器对坩埚底部的辐射，从而坩埚底部温度降低，坩埚与硅熔液反应程度减弱，晶棒氧含量降
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117344373A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311261679.5
(22)申请日2023.09.27
(71)申请人三一硅能（朔州）有限公司
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