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本发明提供一种基于偏压和偏振光的过渡金属硫化物光电器件的调控方法,涉及光电探测领域。该光电器件调控方法,包括以下步骤:S1.搭建过渡金属硫化物器件模型;S2.计算过渡金属硫化物材料器件模型的光电性质;S3.计算调控过后的渡金属硫化物材料光电探测器的光电流;S4.对计算结果分析与处理。通过非平衡格林函数‑密度泛函理论(NEGF‑DFT)的第一性原理方法,对过渡金属硫化物材料器件模型进行光电流调控,针对过渡金属硫化物对结构的敏感性,使用不同的方法调控光电流大小。该方法能够有效增大过渡金属硫化物器件的
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352097A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311270064.9
(22)申请日2023.09.28
(71)申请人江西理工大学
地址341000
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