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用于制造半导体装置的方法.pdfVIP

用于制造半导体装置的方法.pdf

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    本公开提供了一种用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括其中形成多个闪存单元的第一区域和其中形成金属氧化物半导体(MOS)晶体管的第二区域，每个闪存单元包括两个存储晶体管和设置在两个存储晶体管之间的选通晶体管。根据本公开的用于制造半导体装置的方法包括：提供半导体衬底并在其中形成隔离结构；形成存储晶体管的存储栅介质叠层和第一栅电极层；通过对存储栅介质叠层和第一栅电极层构图形成存储晶体管的栅结构；并发地形成选通晶体管和MOS晶体管的栅介质层和第二栅电极层；以及并发地形成MOS晶体管的栅结构和选通晶

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117355138A

    (43)申请公布日2024.01.05

    (21)申请号202311279180.7

    (22)申请日2023.09.28

    (71)申请人北京磐芯微电子科技有限公司

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