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本申请提供一种射频前端集成芯片及其制造方法，包括功率放大器和滤波器，所述功率放大器和滤波器集成于同一衬底，所述功率放大器和滤波器均由半导体晶圆蚀刻工艺制造而成，通过正面工艺与背面工艺，在GaAs衬底上形成由空气桥相连的射频收发通道，提高通信芯片中射频模块的集成度，缩小射频前端芯片的尺寸，提高性能，同时降低生产成本，为多通道的射频系统节省射频开关芯片，其中正面工艺同时进行功率放大器和滤波器的制造，可以减少晶圆蚀刻工序，提高生产效率。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352510A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311292706.5
(22)申请日2023.10.08
(71)申请人芯创（天门）电子科技有限公司
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