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本发明公开了一种差频电离层加热激发甚低频辐射场的计算方法和装置，包括：电流分布的计算：计算因差频电离层调制加热所产生的电流分布；电偶极子辐射场的计算：计算各向异性电离层中电偶极子激励的甚低频辐射场，将其作为电流分布的核函数；差频电离层加热激发的辐射场计算：计算电流分布中各电流单元与观察点之间的相对坐标，将电流分布与核函数相乘并对加热区域进行积分，得到差频电离层加热激发的甚低频辐射场。本发明提供了差频电离层加热激发的甚低频辐射场的有效计算方法，计算耗时少，计算精度高，可为差频电离层加热的实际工程应
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117349575A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311642421.X
(22)申请日2023.12.04
(71)申请人之江实验室
地址311121
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