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本发明涉及流量传感器技术领域，特别是涉及一种MEMS热膜式流量传感器芯片及其制备方法，包括基底、氮化硅层、氧化硅层、金属层、接触孔和钝化保护层，由此形成上下层金属导通的纵向多层结构，三层金属层中均设置测温电阻，最上层氮化硅层中间部位金属为发热电阻；本发明将测温电阻的结构设置为纵向垂直延伸的多层结构；通过采用多层结构可以有效缩小膜区面积，从而减小传感器的尺寸。此外，多层结构可以提供更好的机械稳定性和结构强度，使得传感器更加耐用和可靠。在一些特殊环境下，如高温、高压或振动环境中，这种多层结构可以更好
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117342517A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311312023.1
(22)申请日2023.10.11
(71)申请人莱斯能特（苏州）
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