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本发明提供了一种半导电缓冲层材料及其制备方法和应用。根据本发明的半导电缓冲层材料,所述半导电缓冲层材料的制备原料包括:基体树脂、柔性树脂、酸酐类固化剂、胺类促进剂、导电填料和聚硫橡胶,该半导电缓冲层材料在韧性得到改善的同时又保持了强度,在低温环境下,材料的韧性较好且不发生开裂,在高低温循环过程中,用于绝缘主体‑金属外壳之间时,材料能够避免缓冲层热胀冷缩时对绝缘主体造成的损伤。本发明还提供了半导电缓冲层材料的制备方法和应用。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117343475A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311177188.2(51)Int.Cl.
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