原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种提高硅半导体器件抗位移损伤能力的方法，包括确定修复参数、制备加热基片、修复的过程，从硅半导体器件在遭受粒子辐射后产生缺陷，经退火后缺陷消除的特几天出发，通过测试建立缺陷随温度、时间及粒子注量的退化关系，获得位移损伤缺陷的修复参数。本发明还包括一种硅半导体器件，包括管壳、剂量监测二极管、键合线、芯片管脚、加热基片、芯片、剂量监测电极P2，加热基片对芯片实施加热，剂量监测二极管进行位移损伤监测。本发明加装加热基片实施过程简便，能有效提升硅半导体器件抗位移损伤的能力，解决了硅半导体器件在
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117352376A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311480441.1
(22)申请日2023.11.08
(71)申请人西北核技术研究所
地址7100
文档评论（0）