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本发明公开了一种利用钼残靶制备MPCVD设备用高性能薄壁钼环的方法，该方法使用溅射镀膜后的钼残靶作为原材料，首先对钼残靶进行铣面加工，保证两面平整，再重新轧制到一定厚度，加工成所需要的钼环。该方法生产的精车钼环密度高，加工性能好，使用寿命长，可以满足MPCVD法制备金刚石膜行业应用要求。且避免重复烧结板坯造成的浪费，大大降低了成本，尤其适合壁厚较薄钼环的生产。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117344292A
(43)申请公布日2024.01.05
(21)申请号202311217903.0C23C14/35(2006.01)
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