微机电系统（MEMS）技术 传感器用MEMS压电薄膜的环境试验方法.pdf

微机电系统(MEMS)技术

射频MEMS环行器和隔离器

1范围

本文件规定了射频MEMS(Micro-Electro-MechanicalSystems)环行器和隔离器的术语、基本额定值、

特征参数以及测量方法。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T4937.12半导体器件机械与气候试验方法第12部分：扫频振动（GB/T4937.12—2018，IEC

60749-12：2002，IDT）

GB/T4937.21半导体器件机械与气候试验方法第21部分：可焊性（GB/T4937.21—2018，IEC

60749-21:2011，IDT）

GB/T4937.22半导体器件机械与气候试验方法第22部分：键合强度（GB/T4937.22—2018，IEC

60749-22：2002，IDT）

GB/T26111半导体器件微机电器件第1部分：术语和定义（GB/T26111—2023，IEC62047-1:2016，

MOD）

IEC60747-1:2010半导体器件第1部分：总则（Semiconductordevices–Part1:General）

注：GB/T17573-1998半导体器件分立器件和集成电路第1部分：总则（IEC60747-1：1983，IDT）

IEC60749-10半导体器件机械与气候试验方法第10部分：机械冲击（Semiconductordevices–

Mechanicalandclimatictestmethods—Part10:Mechanicalshock）

IECTS61967-3，集成电路-电磁辐射测量-第3部分-辐射发射测量-表面扫描法

3术语和定义

下列术语和定义适用于本文件。

通用术语

3.1.1

环行器circulator

进入其任一端口的入射波按照静偏磁场确定的方向传入下一端口的三端口器件。

注1：当偏磁场反向时，顺序也反向。

注2：这种特性可用于限定电磁波的传输方向。

[来源：GB/T14733.2—2008，2.17，726-17-08，有修改]

3.1.2

1

隔离器isolator

在一个传输方向的衰减相较于另一传输方向大得多的二端口器件。

[来源：GB/T14733.2—2008，2.17，726-17-19，有修改]

射频特征参数

3.2.1

插入损耗insertionloss

Lins

在传输系统中由插入网络引起的损耗，以插入网络之前馈送到接在网络之后的那部分系统的功率

与插入网络之后馈送到该系统同一部分的功率之比表示。

注1：插入损耗的单位通常为分贝。

[来源：GB/T14733.2—2008，2.6，726-06-07，有修改]

3.2.2

隔离度isolation

Liso

在传输信号的反方向的功率衰减幅度。

3.2.3

回波损耗returnloss

Lret

指定端口的入射功率与该端口的反射功率之比。

注1：回波损耗单位通常为分贝。

[来源：IEC60747-16-4:2004，3.3，有修改]

3.2.4

磁泄漏magneticleakage

Bleak

射频MEMS环行器或隔离器的最大空间场强。

4基本额定值和特征参数

标识和型号

射频MEMS环行器和隔离器产品的标识宜标明射频MEMS环行器和隔离器的功能及其应用。宜包括

具有不同操作、配置和驱动机制的射频MEMS环行器和隔离器的制造技术的详细信息，还宜包括封装方

法，引脚标识和封装材料。

射频MEMS环行器和隔离器应按以下顺