金属半导体接触课件.pptVIP

表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图(a)接触前E0Wm(EF)mq?ns(EF)sECqVD(省略表面态能级）第23页，讲稿共64页，2023年5月2日，星期三金和半接触时,当半导体的表面态密度很高时?电子从半导体流向金属?这些电子由受主表面态提供?平衡时，费米能级达同一水平Wm(EF)sECqVDWm-Ws(b)紧密接触空间电荷区的正电荷＝表面受主态上的负电荷＋金属表面负电荷第24页，讲稿共64页，2023年5月2日，星期三表面受主态密度很高的n型半导体与金属接触能带图(c)极限情形(EF)sECq?ns第25页，讲稿共64页，2023年5月2日，星期三半导体的势垒高度?半导体内的表面势垒qVD在接触前后不变因表面态密度很高，表面态中跑掉部分电子后，表面能级q?0的位置基本不变第26页，讲稿共64页，2023年5月2日，星期三势垒高度金属和p型半导体接触时情形类似?金－半接触的的势垒高度与金属的功函数无关?只取决于表面能级的位置当表面态起主要作用时表面态密度不同，紧密接触时，接触电势差有一部分要降落在半导体表面以内，金属功函数对表面势垒将产生不同程度的影响，但影响不大。但是第27页，讲稿共64页，2023年5月2日，星期三§８.2金属半导体接触（阻挡层）