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模拟试卷一
一、填空(16分)1.半导体二极管的主要特性是 。
三极管工作在放大区时,发射结为偏置,集电结为偏置;工作在饱和区时发射结为偏置,集电结为偏置。
当输入信号频率为fL和fH时,放大倍数的幅值约下降为中频时的倍,或者是下降了dB,此时与中频时相比,放大倍数的附加相移约为。
为提高放大电路输入电阻应引入 反馈;为降低放大电路输出电阻,应引入 反馈。
乙类功率放大电路中,功放晶体管静态电流ICQ
= 、静态时的电源功耗PDC= 。这类功放的能量转换效率在理想情况下,可达到 ,但这种功放有 失真。
在串联型稳压电路中,引入了——负反馈;为了正常稳压,调整管必须工作在 区域。
二、选择正确答案填空(24分)
1.在某放大电路中,测的三极管三个电极的静态电位分别为0V,-10V,V,则这只三极管是()。
A.NPN型硅管B.NPN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管
2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为()。A.P沟道增强型MOS管
2.某场效应管的转移特性如图1所示,该管为()。
A.P沟道增强型MOS管
B.P沟道结型场效应管
D.N沟道耗尽型MOS管
在图示2差分放大电路中,若uI=20mV,则电路的()。
A.差模输入电压为10
mV,共模输入电压为10
mV。
B.差模输入电压为10
mV,共模输入电压为20
mV。
C.差模输入电压为20
mV,共模输入电压为10
mV。
D.差模输入电压为20
mV,共模输入电压为20
mV。
通用型集成运放的输入级采用差动放大电路,这是因为它的()。A.输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大5.在图示电路中,Ri为其输入电阻,RS为常数,为使下限频率fL降低,应()。A.减小C,减小RiB.减小C,增大Ri
6.如图所示复合管,已知
6.如图所示复合管,已知V1的b1=30,V2的b2=50,则
复合后的b约为()。
A.1500B.80C.50D.30
7.RC桥式正弦波振荡电路由两部分电路组成,即RC串并联选
频网络和()。
A.基本共射放大电路B.基本共集放大电路C.反相比例运算电路D.同相比例运算电路
8.已知某电路输入电压和输出电压的波形如图所示,该电路可能是()。A.积分运算电路B.微分运算电路C.过零比较器D.滞回比较器
三、两级放大电路如图所示,已知三极管的参数:V1的b1、rbe1,V2的b2、rbe2,电容C1、C2、CE在交流通路中可视为短路。
分别指出V1、V2的电路组态;
画出图示电路简化的H参数微变等效电路;
计算中频电压放大倍数Au,输入电阻Ri和输出电阻Ro。(12分)
四、图示运算放大电路中,已知u1=10mV,u2=30mV,求uO=?(10分)
五、由理想运算放大器构成的小信号交流放大电路如图所示,试分别求出电路的中频电压放大倍数及下限截止频率(8分)
六、分析图示两个电路的级间反馈。回答:(12分)1.它们是正反馈还是负反馈?
是直流反馈、交流反馈还是交、支流反馈兼有?
它们属于何种组态?
各自的电压放大倍数大约是多少?
七、电路如图所示。试回答:1.该电路是否满足正弦波振荡的相位平衡条件?
如不满足,应如何改动使之有可能振荡?如果满足,则它属于哪种类型的振荡电路?
在满足振荡条件的情况下,电路的振荡频率为多少?(10分)
八、电路如图所示,已知稳压管DZ的稳压值UZ=6V,IZmin=5mA,IZmax=
40mA,变压器二次电压有效值U2=20V,电阻R=240W,电容C=200μF。求:(8分)
整流滤波后的直流电压UI(AV)约为多少伏?
当电网电压在±10%的围内波动时,负载电阻允许的变化范围有多大?
模拟试卷二
一、填空:(18分)
为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号,放大电路应采用 耦合方式,为了实现阻抗变换,使信号与负载间有较好的配合,放大电路应采用 耦合方式。
在三极管多级放大电路中, ,总的电压增益=;Au1是 放大器;Au2是 放大器;Au3是 放大器。
单相桥式整流电路中,若输入电压U2=30V,则输出电压Uo=V;若负载电阻RL=100W,整流二极管ID(AV)= A。
文氏桥正弦波振荡器用网络选
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