《硅光电倍增管性能测试方法》编制说明.pdfVIP

《硅光电倍增管性能测试方法》

标准编制说明

北京邮电大学

2023年10月

1、标准范围。

本标准的主要技术内容包括：1.范围2.规范性引用文件3.术语和定义4.一般

要求5.详细要求。标准规定了反向击穿电压、增益、暗计数率、探测效率、单光子时

间分辨率、串扰、线性度等关键性能的测试步骤等，主要适用于所有的SiPM，不受器

件技术和尺寸的限制。

2、工作简况。

（一）任务来源

为落实《国家中长期科学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》《国家创

新驱动发展战略》等规划，由北京邮电大学牵头，无锡中微晶园电子有限

公司、上海联影医疗科技股份有限公司、中国科学院高能物理研究所等单

位参与，制定《硅光电倍增管性能测试方法》团体标准。

（二）目的与意义

硅光电倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM），作为一种新兴的光电探测

器件，具有单光子灵敏度、探测效率高、光子数分辨能力强、对磁场不敏

感等优点，是医疗影像设备、激光雷达等系统中的核心传感器，决定了相

关设备的成像质量和探测距离。尽管国际上SiPM及相关产品形成了一定

的产业规模，但目前国内依赖进口，也缺乏涉及该器件关键性能表征方法

的标准，该标准规定了SiPM的相关术语定义及关键性能的测试方法。该

标准的制定有利于指导SiPM产品的检测和使用，填补国内该器件关键参

数测试方法的空白，完善半导体光电子器件标准体系，为推动产业发展提

供技术支持。

（三）主要工作过程

本标准和编制工作从2023年10月开始，北京邮电大学成立标准预立项工

作小组，提出《硅光电倍增管性能测试方法》的团体标准立项建议。2023

年12月26日召开团体标准专家论证会，对标准草案进行修改和完善，形

成征求意见稿，于2024年1月开始向全体委员和全社会进行广泛征求意

见。截止时间为2024年6月。

3、标准编制原则和确定标准主要内容的依据：

1、标准编制原则

本标准按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的

结构和起草规则》的规定起草。坚持实用性和有效性为准则，并结合当前发展

现状与特点，提高标准贯彻实施的实用性和可操作性。

2、确定标准内容的依据

考虑到现阶段国际上该技术已相对稳定，我们参考国家标准《GB/T光电

倍增管总规范》（12564-2008）、行业标准《PIN、雪崩光电二极管测试方法》

（SJ/T2354-2015）制定了本标准草案。

4、主要试验（或验证）的分析、综述报告。

本文件的技术内容在广泛调研国内外研究现状的基础上，根据我国硅光电倍增管发

展的现状和特点，加入自身的理解和要求，制定出符合发展需求的标准，提升硅光电倍

增管的可靠性。

5、标准在起草过程中遇到的问题及解决办法：重大分歧意见的处理

经过和依据：有无重要技术问题需要说明。

无

6、与国外标准的关系：包括：采用国际标准和国外先进标准的程度，

与国外标准主要技术内容的差异（可引用标准前言的内容）：

无

7、修订标准时，说明与标准前一版本的重大技术变化，并列出所涉

及的新、旧版本的有关章条（可引用标准前言的内容）：废止/代

替现行有关标准的建议：

无

8、说明标准与其他标准或文件的关系（可引用标准前言的内容），特

别是