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ICS31.080
CCSL54
ZOIA
中关村光电产业协会团体标准
T/XXXXXXX—XXXX
硅光电倍增管可靠性评估方法
Reliabilityevaluationmethodforsiliconphotomultiplier
（工作组讨论稿）
2023.11.21
（）
在提交反馈意见时，请将您知道的相关专利连同支持性文件一并附上。
XXXX-XX-XX发布XXXX-XX-XX实施
中关村光电产业协会发布
T/XXXXXXX—XXXX
硅光电倍增管可靠性评估方法
1范围
本文件界定了硅光电倍增管（SiliconPhotomultiplier,SiPM）的术语、定义、可靠性评定的一般要求
和试验方法。
本文件适用于硅光电倍增管的可靠性评估，其他类型的雪崩器件可参照执行。
2规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，
仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本
文件。
GB/T4937.4-2012半导体器件.机械和气候试验方法.第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）
GB/T4937.13-2012半导体器件.机械和气候试验方法.第13部分：盐雾
GB/T11499-2001半导体分立器件文字符号
GB/T19001-2016质量管理体系要求
GB/T21194-2007通信设备用的光电子器件的可靠性通用要求
GB/T33768-2017通信用光电子器件可靠性试验方法
3术语和定义
GB/T11499-2001和GB/T33768-2017界定的以及下列术语、定义适用于本文件。
试样specimen
用作可靠性试验的待测硅光电倍增管样品。
反向击穿电压reversebreakdownvoltage
V
BR
暗环境下，通过试样的反向电流骤然增加对应的电压。
过偏压Overvoltage
V
ov
高于反向击穿电压以上的电压。
暗电流darkcurrent
ID
无光照并在试样两端施加规定的反向偏置电压时，通过试样的电流。
暗计数率darkcountrate
DCR
暗环境下，单位时间内产生的雪崩事件数。
可靠性reliability
试样在规定条件下、规定的时间内完成规定功能的能力。
可靠性试验reliabilitytest
1
T/XXXXXXX—XXXX
对试样进行可靠性调查、分析和评价的一种手段，为故障分析、判断产品是否达到指标要求等提供
依据。
3.8
失效failure
试样在规定条件下、规定的时间内丧失规定功能的能力时，称为失效。
3.9
失效判据failurecriteria
判定试样失效的依据。
4一般要求
试验类型
试验类型包括：光电特性试验、机械试验、环境试验。
试验设备
试验设
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