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本发明公开了一种基于浅刻蚀的高速大功率单行载流子探测器制造方法，通过采用浅刻蚀形成台面型探测器，可以实现更佳的横向关键尺寸控制，在提高器件制备的均匀性的同时，有效提升器件的频响特性和饱和电流。浅台面技术还可以减少台面侧壁的粗糙度和刻蚀损伤，降低器件暗电流和改善器件可靠性，有效改善探测器的最大功率容限和线性度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117374167A
(43)申请公布日2024.01.09
(21)申请号202311666040.5
(22)申请日2023.12.07
(71)申请人上海三菲半导体有限公司
地址2
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