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陕西科技大学试题纸

课程半导体物理班级

学号姓

题号一二三四五六七八九十总分

得分

阅卷人

一、选择题（15）

1.金属-半导体接触整流理论：扩散理论和热电子发射理论分别只适用于（）。

（A）厚阻挡层和薄阻挡层（B）薄阻挡层和厚阻挡层

（C）正向厚阻挡层和正向薄阻挡层（D）反向厚阻挡层和反向薄阻挡层

２突变耗尽层的条件是（）

（A）外加电压和接触电势都降落在耗尽层上（B）耗尽层中的电荷是由电力施主和电力

受主的电荷组成（C）耗尽层外的半导体是电中性的（D）（A）、（B）（C）

３自补偿效应的起因是（）

（A）材料中先以存在某种深能级杂质（B）材料中先以存在某种深能级缺陷

（C）掺入的杂质是双性杂质（D）掺杂导致某种缺陷产生

４某半导体中导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）。

（A）不含施主杂质（B）不含受主杂质（C）不含任何杂质（D）处于绝对零度

５实际上，在非平衡条件下，往往起重要作用的是（）。

（A）多数载流子（B）少数载流子（C）多数和少数载流子（D）非平衡少数载流子

６硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件。

（A）高可靠性（B）高反压（C）高频（D）大功率

７欲在掺杂适度的无表面态ｎ型硅（W=4.25eV）上做欧姆接触，以下四种金属中最适合

m

的是（）．

（A）In(W=3.8eV)（B）Cr(W=4.6eV)（C）Au(W=4.8eV)（D）Al(W=4.2eV)

mmmm

８在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。

（A）禁带较窄（B）禁带是间接跃迁型（C）禁带较宽（D）禁带是直接跃迁型

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９.公式qB中的m*()。

Cm*n

n

（A）对硅取值相同（B）对ＧａＰ取值相同

（C）对ＧａAＳ取值相同（D）对Ｇｅ取值相同

10.轻空穴指的是（）。

（A）质量较小的原子组成的半导体中的空穴（B）价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴

（C）价带顶附近曲率较小的等能面上空穴（D）自施－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴

11根据费米分布函数，空穴占据（E+kT)能级的几率（）。

F

（A）等于电子占据（E+kT)级的几率（B）等于电子占据（E-kT)级的几率

FF

（C）大于空穴占据E的几率（D）大于电子占据E的几率

FF

12对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级E